双层石墨烯的化学气相沉积法制备及其光电器件

• 作者: 刘云圻 杨云畅 武斌
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 双层石墨烯 化学气相沉积法 器件 生长机理
• 年，卷（期）: 2017,（21）
• 所属期刊栏目: 专题:与硅技术融合的石墨烯类材料及其器件研究
• 页码范围: 157-170
• 页数: 14页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.66.218101

摘要

石墨烯是一种具有优异性质,在光电及能源领域具有巨大应用前景的二维材料.尽管单层石墨烯具有超高的迁移率,但是它的能带结构具有狄拉克锥(K点),即价带和导带并未有明显分离,所以在半导体器件方面的应用受到一定的限制.由双层石墨烯搭建而成的双门器件,在施加外加电场的情况下,它的带隙可以打开,并在一定范围内可调,这种性质赋予了双层石墨烯在半导体器件应用方面的前景.然而机械或者液相剥离石墨烯,在层数和大小方面可控性较差.如何通过化学气相沉积法可控制备双层石墨烯是目前研究的核心问题之一.本文主要综述了如何通过化学气相沉积法制备双层石墨烯和制备双层石墨烯器件的一系列工作,其中包括最新的研究进展,对生长机理的研究做了详细的介绍和讨论,并对该领域的发展进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	武斌		2	12	2.0	2.0
2	杨云畅		2	3	1.0	1.0
6	刘云圻		2	15	2.0	2.0