基于六角氮化硼二维薄膜的忆阻器

• 作者: 伍法才 刘明 刘琦 吕杭炳 吴全潭 张续猛 时拓 曹荣荣 赵晓龙 龙世兵
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 六角氮化硼 电阻转变 忆阻器 神经形态
• 年，卷（期）: 2017,（21）
• 所属期刊栏目: 专题:与硅技术融合的石墨烯类材料及其器件研究
• 页码范围: 118-124
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.66.217304

摘要

报道了一种基于多层六角氮化硼(h-BN)二维薄膜的忆阻器件.该器件不需要电预处理过程,且具有自限流的双极性阻变行为;具有较好的抗疲劳性和较长的数据保持时间.该器件在脉冲编程条件下具有模拟转变特性,即在连续的电压脉冲下器件的电阻态能被连续地调控,使得该器件能够模仿神经网络系统中的神经突触权重变化行为.综上所述,基于多层h-BN的忆阻器具有应用在非易失性存储和神经计算中的潜力.