介电层表面直接生长石墨烯的研究进展

• 作者: 戴明金 杨慧慧 胡平安 高峰
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 石墨烯 介电层 化学气相沉积 无转移
• 年，卷（期）: 2017,（21）
• 所属期刊栏目: 专题:与硅技术融合的石墨烯类材料及其器件研究
• 页码范围: 31-53
• 页数: 23页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.66.216804

摘要

作为21世纪备受瞩目的材料,石墨烯兼具优异的电、热、光与力学性质,具有十分广阔的研究价值与应用价值.目前主要通过在金属基底上生长获得石墨烯,并将其转移至目标介电层基底上以构筑电子器件.转移过程不可避免地引入了褶皱、裂纹、破损以及聚合物/金属残留,严重损害了石墨烯的性能.因而直接在介电基底上制备高质量的石墨烯薄膜具有重要意义.本文总结了近年来在介电衬底上直接生长石墨烯的研究进展:阐述了金属辅助法、等离子体增强法以及热力学或动力学调控法等多种生长手段;介绍了多种介电/绝缘基底包括SiO2/Si,A12O3,SrTiO3,h-BN,SiC,Si3N4以及玻璃表面生长石墨烯的特点与性能,分析了其可能的生长机理.根据拉曼谱图、薄层电阻、透光率、载流子迁移率等评估指标,将多种方法得到的石墨烯质量进行了总结与比较,并提出了直接在介电衬底上生成石墨烯的研究难点与趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高峰	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	45	234	10.0	12.0
5	胡平安	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	2	0	0.0	0.0
9	杨慧慧	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	3	10	2.0	3.0
13	戴明金	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	2	0	0.0	0.0