Sr掺杂对La1-xSrxMnO3/LaAlO3/SrTiO3界面电子结构的影响

• 作者: 孙得彦 王磊 阮璐风
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 第一性原理计算 氧化物异质结构 掺杂 准二维电子气
• 年，卷（期）: 2017,（18）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 210-217
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.66.187301

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,系统地研究了La1-xSrxMnO3层中Sr的掺杂方式和掺杂量对4La1-xSrxMnO3/3LaA1O3/4SrTiO3 (LSMO/LAO/STO)异质结构原子和电子结构的影响.结果表明:对于相同的Sr掺杂量,掺杂方式的差异对体系电子结构的影响微弱,不会导致体系发生金属-绝缘体转变;掺杂量的不同对体系电子结构有着显著的影响,当Sr的掺杂量较少时,LAO/STO界面处存在着准二维电子气,当Sr的掺杂量高于1/3时,LAO/STO界面处准二维电子气消失.我们相信,Sr的引入以及通过Sr掺杂量的改变可以对LSMO覆盖层极化进行调控,这也是导致体系LAO/STO界面处金属-绝缘体转变的可能原因,进一步为极化灾变机制导致的界面处电子重构提供了证据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王磊	华东师范大学物理与材料科学学院物理学系	17	56	3.0	7.0
2	阮璐风	华东师范大学物理与材料科学学院物理学系	1	0	0.0	0.0
3	孙得彦	华东师范大学物理与材料科学学院物理学系	2	2	1.0	1.0