ZrB2-SiC挥发相图的热力学计算研究

• 作者: 俞鹏飞 刘哲 孙国栋 李辉 罗至利
• 来源期刊: 化工新型材料
• 关键词: ZrB2-SiC 超高温陶瓷 挥发相图 氧化 热力学
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 所属期刊栏目: 科学研究
• 页码范围: 178-180
• 页数: 3页
• 语种: 中文

摘要

采用热力学平衡方法,以1227℃为例,计算了硼化锆(ZrB2)和碳化硅(SiC)的挥发相图,并由此例构建了硼化锆-碳化硅复合材料(ZrB2-SiC)的挥发相图.在1.01×105Pa条件下,计算得到ZrB2和SiC发生氧化的平衡分压logPO2分别为-15.01Pa和-17.04Pa.结果表明,氧气分压会对ZrB2、SiC和ZrB2-SiC的氧化行为产生重要影响.随着氧分压升高,ZrB2主要气相氧化产物的分压增加,SiC主要气相氧化产物的分压先增加后减小.对ZrB2-SiC而言,随着氧分压的增大,在1227℃时体系中的主要气相产物转变序列为SiO(g)→B2 O3 (g)→BO2 (g).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李辉		49	57	4.0	6.0
2	孙国栋		14	31	3.0	5.0
3	俞鹏飞		8	3	1.0	1.0
4	刘哲		7	7	2.0	2.0
5	罗至利		7	7	2.0	2.0