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超结中国专利技术综述
超结中国专利技术综述
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摘要：
超结结构突破了传统功率MOS器件的理论极限,被誉为功率MOS器件的里程碑器件.本文对超结领域中国的相关专利技术进行分析,从申请趋势、主要申请人、法律状态、技术效果等多个角度进行深入挖掘,梳理超结技术的现状及发展趋势.
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期刊影响力
电子世界
主办单位：
中国电子学会
出版周期：
半月刊
ISSN：
1003-0522
CN：
11-2086/TN
开本：
大16开
出版地：
北京市
邮发代号：
2-892
创刊时间：
1979
语种：
chi
出版文献量（篇）
36164
总下载数（次）
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