高热流密度芯片传热路径影响分析

• 作者: 关宏山 叶锐 张根烜
• 来源期刊: 机电信息
• 关键词: 高热流密度 GaN 传热路径热阻
• 年，卷（期）: 2017,（24）
• 所属期刊栏目: 设计与分析
• 页码范围: 110-113
• 页数: 4页
• 字数: 3608字
• 语种: 中文

摘要

随着以SiC、GaN为代表的宽禁带半导体材料的发展,高功率密度电子元器件在军用电子装备上得到了更为广泛的应用,其中GaN功放芯片在T/R组件中的应用越来越广泛.现从GaN功放芯片着手,分析了其传热路径的热阻特性,研究了封装盒体材料、热界面材料、芯片尺寸参数等对传热路径热阻的影响,为解决未来高热流密度功放芯片散热问题提供了可行的参考方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶锐	中国电子科技集团公司第三十八研究所	9	10	2.0	2.0
2	张根烜	中国电子科技集团公司第三十八研究所	23	99	6.0	9.0
3	关宏山	中国电子科技集团公司第三十八研究所	12	59	5.0	7.0