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摘要:
制造工艺的不断进步,嵌入式存储器在片上系统芯片中的集成度越来越大,同时存储器本身也变得愈加复杂,使得存储器出现了一系列新的故障类型,比如三单元耦合故障.存储器內建自测试技术是当今存储器测试的主流方法,研究高效率的Mbist算法,是提高芯片成品率的必要前提.以SRAM的7种三单元耦合故障为研究对象,通过分析故障行为得到三单元耦合的72种故障原语,并且分析了地址字内耦合故障的行为,进而提出新的测试算法March 3CL.以2048X32的SRAM为待测存储器,利用EDA工具进行了算法的仿真,仿真结果表明,该算法具有故障覆盖率高、时间复杂度低等优点.
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文献信息
篇名 一种Mbist新型算法March 3CL的设计
来源期刊 电子测试 学科
关键词 SRAM 存储器內建自测试 三单元耦合故障 March算法 可测性设计
年,卷(期) 2017,(22) 所属期刊栏目 理论与算法
研究方向 页码范围 50-52,47
页数 4页 分类号
字数 2364字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-8519.2017.22.023
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李小进 华东师范大学信息科学技术学院 32 83 5.0 7.0
2 李玲玲 华东师范大学信息科学技术学院 2 1 1.0 1.0
3 丁艳芳 华东师范大学信息科学技术学院 5 16 2.0 4.0
4 陈之超 华东师范大学信息科学技术学院 1 0 0.0 0.0
传播情况
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
SRAM
存储器內建自测试
三单元耦合故障
March算法
可测性设计
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子测试
半月刊
1000-8519
11-3927/TN
大16开
北京市100098-002信箱
82-870
1994
chi
出版文献量(篇)
19588
总下载数(次)
63
总被引数(次)
36145
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