GaN宽禁带半导体功率场效应晶体管驱动优化的研究

• 作者: 吴比 王宇萌
• 来源期刊: 商情
• 关键词: 氮化镓 GaN器件 Buck变换器 驱动电路
• 年，卷（期）: 2017,（21）
• 所属期刊栏目: 行业动态
• 页码范围: 112
• 页数: 1页
• 字数: 1085字
• 语种: 中文

摘要

作为新一代半导体功率器件,GaN(氮化镓)宽禁带半导体功率场效应管具有许多Si材料不具备的优异性能,可降低损耗,提高效率,完成器件小型化的要求,是Si材料的有力替代者.但其与传统的Si MOSFET还存在诸多差异,如其反向导通特性的不同及栅极电压的严格控制.本文旨在研究GaN功率晶体管的合理驱动方式.基于对GaN晶体管的特性分析,探究其在同步整流Buck变换器中的应用特性,最终完成了对GaN功率器件的驱动电路的设计,得到其在200kHz下的驱动波形.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王宇萌		1	1	1.0	1.0
2	吴比		1	1	1.0	1.0