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摘要:
MOSFET集成电路表现出正向压降较低,反向漏电流较小的特性,可以作为光伏接线盒的旁路开关,提高光伏阵列的输出功率.在分析MOSFET集成电路工作原理的基础上,以肖特基二极管和MOSFET集成电路作为样本,在相同的测试条件下研究了两种器件的高温耐焊性和抗静电性能.最后,对两种器件应用于光伏接线盒中的结温进行对比研究.实验结果表明,肖特基二极管的最大结温为152.9℃,而MOSFET集成电路的最大结温仅为102.1℃,两者相差50.8℃.因而,MOSFET集成电路具有可靠性良好和结温低的特性,非常适合作为光伏接线盒的旁路开关,可以有效降低热斑对光伏组件功率输出的影响.
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文献信息
篇名 MOSFET集成电路在光伏组件中的应用及其可靠性研究
来源期刊 未来英才 学科
关键词 光伏组件 热斑 旁路开关 MOSFET集成电路
年,卷(期) 2017,(10) 所属期刊栏目 学科纵横
研究方向 页码范围 244
页数 1页 分类号
字数 2200字 语种 中文
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光伏组件
热斑
旁路开关
MOSFET集成电路
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