MOSFET集成电路在光伏组件中的应用及其可靠性研究

• 作者: 郑炯
• 来源期刊: 未来英才
• 关键词: 光伏组件 热斑 旁路开关 MOSFET集成电路
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 所属期刊栏目: 学科纵横
• 页码范围: 244
• 页数: 1页
• 字数: 2200字
• 语种: 中文

摘要

MOSFET集成电路表现出正向压降较低,反向漏电流较小的特性,可以作为光伏接线盒的旁路开关,提高光伏阵列的输出功率.在分析MOSFET集成电路工作原理的基础上,以肖特基二极管和MOSFET集成电路作为样本,在相同的测试条件下研究了两种器件的高温耐焊性和抗静电性能.最后,对两种器件应用于光伏接线盒中的结温进行对比研究.实验结果表明,肖特基二极管的最大结温为152.9℃,而MOSFET集成电路的最大结温仅为102.1℃,两者相差50.8℃.因而,MOSFET集成电路具有可靠性良好和结温低的特性,非常适合作为光伏接线盒的旁路开关,可以有效降低热斑对光伏组件功率输出的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑炯		2	0	0.0	0.0