宽带射频功放晶体管非线性输出电容研究

• 作者: 王俊
• 来源期刊: 数码世界
• 关键词: 射频功率放大器 宽带 非线性输出电容
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 计算机技术
• 页码范围: 102
• 页数: 1页
• 字数: 1389字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-8313.2017.12.071

摘要

本文结合氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)非线性输出电容Cout和宽带功放效率之间的关系,研究非线性电路模型.结果表明:通过Cout对漏极端电压电流进行控制,对谐波阻抗的精度要求较低,拓宽了高效率阻抗区,有利于宽带功放的匹配.采用GaN HEMT设计射频功率放大器,通过实测验证了该设计的可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王俊		2	1	1.0	1.0