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高精度CMOS基准电压源设计
高精度CMOS基准电压源设计
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摘要：
基准源是模拟集成电路中的基本单元之一,它在高精度ADC、DAC、SOC等电路中起着重要作用,基准源的精度直接控制着这些电路的精度.本文阐述了一个基于带隙基准结构的低功耗、低温度系数、高电源抑制比的CMOS基准电压源.该电路采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺实现,并用Spectre进行了仿真,得到理想的设计结果.
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一种0.18μm CMOS 1.0 V高精度电压基准源
电压基准源
带隙基准源
温度系数
电源抑制比
一种新型高精度低压CMOS带隙基准电压源
带隙基准电压源
低压
正温度系数
负温度系数
电源抑制比
低压CMOS带隙基准电压源设计
CMOS基准电压源
低功耗
Sub-1 V
高电源抑制比
一种高精度BiCMOS带隙电压基准源的设计
带隙电压基准源
电源抑制比
温度补偿
共源共栅电流镜
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2019(1)
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研究主题发展历程
节点文献
CMOS基准电压源
低功耗
温度补偿
高电源抑制比
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子世界
主办单位：
中国电子学会
出版周期：
半月刊
ISSN：
1003-0522
CN：
11-2086/TN
开本：
大16开
出版地：
北京市
邮发代号：
2-892
创刊时间：
1979
语种：
chi
出版文献量（篇）
36164
总下载数（次）
96
总被引数（次）
46655
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