应变SiGe量子阱沟道PMOS阈值电压模型研究

• 作者: 王颖
• 来源期刊: 产业与科技论坛
• 关键词: 应变SiGe材料 阈值电压模型 应变技术
• 年，卷（期）: 2017,（19）
• 所属期刊栏目: 科技创新
• 页码范围: 57-58
• 页数: 2页
• 字数: 1400字
• 语种: 中文

摘要

应变SiGe材料具有空穴迁移率高、带隙可调等优点,是延续摩尔定律最有潜力的新技术.本文基于应变SiGe量子阱PMOS器件结构与特点,建立其阈值电压模型,并分析Ge组分、氧化层厚度、Si帽层对应变SiGe量子阱沟道PMOS器件阈值电压的影响,为应变技术的发展和应用奠定理论基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王颖		12	1	1.0	1.0