低照度CMOS图像传感器技术研究

• 作者: 杨敏
• 来源期刊: 山东工业技术
• 关键词: 低照度 互补金属氧化物半导体 图像传感器
• 年，卷（期）: 2017,（13）
• 所属期刊栏目: 理论研究
• 页码范围: 279
• 页数: 1页
• 字数: 1897字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16640/j.cnki.37-1222/t.2017.13.251

摘要

互补金属氧化物半导体(CMOS)是目前电压控制的一种放大器件,在CMOS图像传感器中扮演着重要的角色,尤其是由其所构成的图像传感器具有良好的经济性、功耗低、体积小等优势,更是成为今后固定微光器件发展的主流趋势.本文将从光电二极管灵敏度增强技术、像元面积优化技术、微光楔技术、长时间积分技术、低噪声技术围绕低照度CMOS图像传感器技术展开研究,旨在为其更好的应用提供帮助.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨敏		8	6	1.0	2.0