TFT-LCD生产中Cu制程成膜温度及膜厚对Cu膜表面形貌影响的研究

• 作者: 何方
• 来源期刊: 数字化用户
• 关键词: TFT-LCD Cu制程 表面形貌
• 年，卷（期）: 2017,（31）
• 所属期刊栏目: 计算机与软件
• 页码范围: 217-218
• 页数: 2页
• 字数: 1787字
• 语种: 中文

摘要

薄膜晶体场效应管制造过程中,一般采用磁控溅射方式进行金属栅极(Gate)、源极(Source)和漏极(Drain)成膜.金属成膜过程中成膜温度、压力、功率对金属薄膜的结构及薄膜表面形貌造成不同程度影响,本文主要研究成膜温度和膜厚对金属C u膜表面形貌的影响.实验结果发现在基板成膜温低(50℃)表面粗糙度较小,同时膜厚较低时C u表面粗糙度较小.探讨这些因素的作用机理,为TFT-LCD生产提供最佳的成膜工艺窗口.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何方		5	1	1.0	1.0