TFT-LCD Via hole Dry Etch工艺研究

• 作者: 何方 赵辉 阳志林
• 来源期刊: 数字化用户
• 关键词: TFT-LCD 气体流量比例 ICP 坡度角(TaperAngle)
• 年，卷（期）: 2017,（31）
• 所属期刊栏目: 计算机与软件
• 页码范围: 215-216,258
• 页数: 3页
• 字数: 1345字
• 语种: 中文

摘要

薄膜晶体场效应管制造过程中,一般采用干法刻蚀(Dry Etch)方式开出设计过孔(Via hole)宽幅和合适的坡度角(Profile).干法蚀刻过程中功率(Power)、压力(Pressure)、蚀刻气体流量比例(CF4/O2)等工艺参数对非金属薄膜的坡度角(Taper Angle)造成不同程度影响,本文主要研究蚀刻功率、压力、气体流量及气体流量比例对二氧化硅(SiO2)薄膜角度相关性研究.实验结果发现随之四氟化碳(CF4)与氧气(O2)流量比例降低,蚀刻后二氧化硅坡度角随之降低,其中CF4/O2流量在600sccm/1000sccm和800sccm/1000sccm均能制备出较佳的接触角.探讨这些因素的作用机理,为TFT-LCD生产提供合适的干刻工艺窗口.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵辉		5	0	0.0	0.0
2	何方		5	1	1.0	1.0
3	阳志林		2	0	0.0	0.0