不同构型下ZnO基稀磁半导体的第一性原理研究

• 作者: 刘乔亚 杨平
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 掺杂构型 第一性原理 电子结构 自旋 磁矩 居里温度
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 页码范围: 44-47
• 页数: 4页
• 分类号: TN301
• 字数: 3171字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2018.02.012

摘要

针对5种不同构型下的ZnO基稀磁半导体特性展开研究,利用第一性原理对Co掺杂ZnO,Mn掺杂ZnO,以及(Co,Mn)共掺杂ZnO进行模拟计算,分析其电子结构及磁性.结果表明,Co掺杂ZnO的铁磁性随掺杂位置不同而变化,Mn掺杂ZnO表现出反铁磁性.而(Co,Mn)共掺杂ZnO由于掺杂原子间的相互作用,表现出铁磁性并且具有高于室温的局里温度,是一种理想的稀磁半导体材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨平	江苏大学机械工程学院	39	198	8.0	11.0
2	刘乔亚	江苏大学机械工程学院	2	3	1.0	1.0