0.8μm高压BCD电路漏电失效改善

• 作者: 向璐 苏兰娟 陈洪雷
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: BCD SOG 平坦化 漏电失效
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 页码范围: 40-43
• 页数: 4页
• 分类号: TN407
• 字数: 2067字
• 语种: 中文

摘要

0.8μm高压BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)电路存在漏电失效,其失效原因是IMD(Inter-Metal Dielectric)平坦化不良,造成金属2残留短路.通过SOG(spin-on-glass)二次平坦化工艺,大幅改善了IMD的平坦化效果,将平坦化因子由0.35提升到0.90,杜绝了金属2残留,较好地解决了漏电问题,提高了电路成品率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	向璐		1	0	0.0	0.0
2	陈洪雷		1	0	0.0	0.0
3	苏兰娟		1	0	0.0	0.0