忆阻器、忆容器和忆感器的Simulink建模 及其特性分析

• 作者: 俞军 王光义 王晓媛
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 记忆元件 数值仿真模型 Simulink 记忆特性
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 252-265
• 页数: 14页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.67.20172674

摘要

忆阻器、忆容器和忆感器均是具有记忆特性的新型非线性电路元件,也被称为记忆元件.以三种电路元件的通用数学模型为依据,从数学分析的角度,对忆阻器、忆容器和忆感器的Simulink模型进行了建立.在Simulink模型中体现了记忆元件对历史状态和系统状态变量的依赖性,正确表现出其独特的记忆特性.通过一系列仿真分析,得到了忆阻器、忆容器和忆感器的元件特性,验证了模型的有效性.此外,通过对三者在不同参数、不同激励下的电路特性分析,得到了三种记忆元件等效模型随频率和幅值变化的规律,为以后忆阻器、忆容器和忆感器基于Simulink的仿真研究和应用研究奠定基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王光义	杭州电子科技大学现代电路与智能信息研究所	82	616	12.0	22.0
2	俞军	杭州电子科技大学现代电路与智能信息研究所	2	3	1.0	1.0
3	王晓媛	杭州电子科技大学现代电路与智能信息研究所	6	3	1.0	1.0