电沉积法制备CdSe薄膜及其光电性能

• 作者: 丁红 苏泉 钟福新 高云鹏 黎燕
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硒化镉(CdSe) 薄膜 二甲基甲酰胺 电沉积 光电性能
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 221-227
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.25|TB383.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.03.011

摘要

采用电沉积法制备了硒化镉(CdSe)薄膜,讨论了Cd(NO3)2和H2SeO3摩尔比(n(Cd∶Se))、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)浓度、沉积电压和时间等条件对CdSe薄膜光电压的影响,并对样品进行X射线衍射(XRD)、能谱分析(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)等表征.结果表明,CdSe薄膜制备最优条件是在二甲基甲酰胺(DMF)体系中,以0.005 5 mol/L PVP、0.036 mol/L Cd(NO3)2、0.054 mol/L H2SeO3混合液为电解液,室温下3.0V直流电压沉积15 min,可得最高0.368 0 V光电压的CdSe薄膜.XRD表征显示,在2θ值为25.354°,42.010°,49.699°,67.083°和76.780°处出现了(111),(220),(311),(331)和(422)五个晶面衍射峰,与立方型CdSe标准衍射卡(PDF 19-0191)峰位相吻合.EDS分析表明,样品中Cd和Se质量分数分别为45.60％和51.65％,原子分数分别为36.84％和59.02％.SEM表征显示,样品中的CdSe呈多层链网结构,链直径尺寸为80～300 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟福新	桂林理工大学化学与生物工程学院	24	63	4.0	7.0
2	黎燕	桂林理工大学化学与生物工程学院	16	40	3.0	5.0
3	高云鹏	桂林理工大学化学与生物工程学院	3	2	1.0	1.0
4	丁红	桂林理工大学化学与生物工程学院	2	0	0.0	0.0
5	苏泉	广西工业职业技术学院石油与化学工程系	3	4	1.0	2.0