超宽带延时幅相控制多功能芯片的设计

• 作者: 朱思成 赵子润 陈月盈
• 来源期刊: 微波学报
• 关键词: 超宽带 砷化镓单片集成电路 多功能芯片 实时延时器 数控衰减器
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 84-88
• 页数: 5页
• 字数: 3348字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14183/j.cnki.1005-6122.201801018

摘要

针对航空航天和卫星通信等设备的需求,介绍了一款超宽带延时幅相控制多功能芯片.该芯片集成了数字和微波电路,有T/R开关、5位数控延时器(10 ps步进TTD)、5位数控衰减器(1 dB步进ATT)、2个行波放大器、均衡器及数字电路.基于GaAs E/D PHEMT工艺研制出了芯片实物,芯片尺寸为4.5 mm×5.0 mm×0.07 mm.采用微波在片测试系统对该幅相控制多功能芯片进行了实际测试,在3～17 GHz频段内实现了10～310 ps延时范围,1～31 dB衰减范围.测试结果显示,发射/接收增益大于2 dB,发射1 dB压缩输出功率P1dB_Tx大于12 dBm,接收1 dB压缩输出功率P1dB_Rx大于10 dBm,全态输入输出驻波均小于1.7,+5 V下工作电流130 mA,-5V下工作电流12 mA.衰减器全态RMS精度小于1.4 dB,全态附加调相小于±8°.延时器全态RMS精度小于3 ps,全态附加调幅小于±1 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈月盈	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	1	1.0	1.0
2	朱思成	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	15	2.0	3.0
3	赵子润	中国电子科技集团公司第十三研究所	7	7	1.0	2.0