Si添加物对Li掺杂的Mg2( Ge,Sn)热电性能的影响

• 作者: 张勤勇 毛俊西 王俊臣 袁国才 雷晓波
• 来源期刊: 西华大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: Mg2(Ge,Sn) 热电材料 热导率
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 先进材料及能源
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TB34
• 字数: 1804字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-159X.2018.05.001

摘要

Mg2(Ge,Sn)固溶体是一种环境友好型的中温(500~800 K)热电材料.目前n型Mg2(Ge,Sn)热电材料的ZT值已经高达1.4,但p型Mg2(Ge,Sn)的ZT值仅为0.5.本文在p型Mg1.92Li0.08Ge0.4Sn0.6中添加了少量Si元素以在材料中形成富Si相,利用其与基体的界面过滤低能载流子、降低热导率.采用两步固相反应、球磨和热压的方法制备Mg1.92Li0.08Ge0.4Sn0.6－xSix(x=0,0.025,0.05,0.075,0.1) 样品,通过测试样品的热电输运参数,分析Si添加物对样品热电输运和性能的影响.结果表明:Si添加物能显著提高基体的功率因子,同时有效降低晶格热导率和电子热导率;最终,Mg1.92Li0.08Ge0.4Sn0.525Si0.075的ZT最大值在723 K达到0.75.