电路级模拟技术在SRAM型FPGA总剂量效应敏感性预测中的应用

• 作者: 丁李利 姚志斌 张凤祁 张科营 罗尹虹 范如玉 赵雯 郭红霞
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: 电子器件 总剂量效应 试验技术 电路模拟 敏感性预测
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 辐射效应及加固技术
• 页码范围: 82-87
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 4547字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12061/j.issn.2095-6223.2018.010601

摘要

在分析SRAM型FPGA单元电路及芯片辐照效应实验数据的基础上,借助计算机仿真模拟,研究了大规模集成电路抗辐射性能的敏感性预测技术.采用分层仿真和评价的方法,先由上而下,根据器件参数要求分配性能指标,再依据实验数据,借助数值模拟,由下而上检验性能阈值、裕量及其不确定度,最终给出整个FPGA的可信度值,确定了敏感单元电路,并且通过X射线微束总剂量实验对结果进行验证.建立的电路级数值模拟方法为累积电离总剂量效应敏感性预测研究,提供了技术支撑.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗尹虹		54	199	8.0	10.0
2	张凤祁		40	169	8.0	10.0
3	郭红霞		81	385	10.0	13.0
4	范如玉		34	168	7.0	10.0
5	赵雯		10	25	3.0	4.0
6	张科营		23	111	7.0	8.0
7	丁李利		2	4	2.0	2.0
8	姚志斌		1	2	1.0	1.0