一种高摆率低功耗无片外电容的LDO设计

• 作者: 任俊彦 叶凡 徐晨辉
• 来源期刊: 复旦学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 低压差线性稳压器 无片外电容 高摆率 瞬态增强 低功耗
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 页码范围: 79-84
• 页数: 6页
• 分类号: TN402
• 字数: 2698字
• 语种: 中文

摘要

本文介绍了一种低功耗的无片外电容快速响应的低压差线性稳压器(LDO),用于数字电路供电.该LDO采用电流型跨导运算放大器,克服了传统运算放大器摆率和静态电流之间的矛盾.提出了一种瞬态增强电路,既可以动态地调整误差放大器偏置,同时也能够直接对调整管栅极电压进行调节,增强了负载瞬态响应性能.该LDO基于28 nm CMOS工艺,面积为55×42 μm2.输入1.1V,压差约为100 mV,最大负载电流50 mA.静态电流为5 μA,在负载电流变化率为49.9 mA/μs的情况下,恢复时间为2.5 μs,过冲电压和下冲电压均小于100 mV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任俊彦	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	116	450	11.0	14.0
2	叶凡	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	53	115	6.0	7.0
3	徐晨辉	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	1	3	1.0	1.0