InGaAs探测器的盲元分析及P电极优化

• 作者: 夏辉 朱友华 李雪 杨波 王强 王志亮 邓洪海 邵海宝 邵秀梅 黄静 龚海梅
• 来源期刊: 光子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 短波红外探测器 InGaAs 盲元 比接触电阻 Au
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 探测器
• 页码范围: 101-106
• 页数: 6页
• 分类号: TN362|TN215
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/gzxb20184703.0304001

摘要

采用扫描电容显微镜分析了平面型PIN In0.52 Al0.48 As/In0.53 Ga0.47 As/In0.5 Al0.48 As短波红外探测器盲元产生的原因,利用半导体器件仿真工具Sentaurus TCAD对探测器中的盲元特性进行了模拟,并利用制备的Au/P-In0.52 Al0.48 As传输线结构芯片对P电极的欧姆接触进行优化.研究结果表明,P电极与扩散区外的N--In0.52 Al0.48 As帽层形成导电通道导致了盲元的产生,优化后Au与P-In0.52 Al0.48 As帽层之间具有更低的比接触电阻为3.52×10-4Ω·cm-2,同时Au在高温快速热退火过程中的流动被抑制,从而降低了盲元产生的概率.