光电化学腐蚀法制备高长径比硅微通道

• 作者: 杨继凯 王国政 王蓟 端木庆铎 陈奇
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅微通道 光电化学腐蚀 腐蚀电流密度 电解液扩散 暗电流密度
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 216-220
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.03.010

摘要

在高长径比硅微通道光电化学腐蚀中,需要根据通道尺寸要求实时修正腐蚀电流.研究了物质输运、暗电流对腐蚀电流控制的影响,并提出了腐蚀电流的控制曲线.根据电解液扩散方程和边界条件,推导出通道尖端处HF质量分数与通道长度的关系.根据腐蚀后的暗扫描I-V曲线计算出暗电流密度.与腐蚀电流密度相比,阴离子表面活性剂的暗电流可忽略不计,进而获得了腐蚀电流修正曲线.根据腐蚀电流修正曲线,通过控制光照强度制备出高长径比(大于60)的等径硅微通道阵列.对修正的腐蚀电流进行调整,制备出通道尺寸空间周期性变化的硅微通道结构.研究结果可为高长径比硅微通道的制备提供技术方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王蓟	长春理工大学理学院	22	96	6.0	8.0
2	端木庆铎	长春理工大学理学院	56	241	8.0	12.0
3	王国政	长春理工大学理学院	51	208	8.0	11.0
4	杨继凯	长春理工大学理学院	23	26	3.0	4.0
5	陈奇	长春理工大学理学院	5	6	1.0	2.0