高效率n型硅离子注入双面太阳电池

• 作者: 史金超 张伟 李晓苇 李锋 沈艳娇
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 双面太阳电池 n型Si 转化效率 背场 离子注入
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 211-215
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.03.009

摘要

为进一步提升n型硅双面太阳电池的转化效率,采用了磷离子注入技术制备n型硅双面太阳电池的背场.基于离子注入技术准直性和均匀性好的特点,掺杂后硅片的表面复合电流密度降低到了1.4×10-13 A/cm2,隐性开路电压可达670 mV,且分布区间更紧凑.在电阻率为1～3 Ω·cm的n型硅片基底上,采用磷离子注入技术工业化生产的n型硅双面太阳电池的正面平均转化效率达到了20.64％,背面平均转化效率达到了19.52％.内量子效率的分析结果显示,离子注入太阳电池效率的增益主要来自长波段光谱响应的提升.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晓苇	河北大学物理科学与技术学院	136	473	10.0	13.0
2	史金超	河北大学物理科学与技术学院	6	45	4.0	6.0
4	张伟	保定天威英利新能源有限公司光伏材料与技术国家重点实验室	7	4	1.0	1.0
7	沈艳娇	保定天威英利新能源有限公司光伏材料与技术国家重点实验室	1	1	1.0	1.0
8	李锋	保定天威英利新能源有限公司光伏材料与技术国家重点实验室	1	1	1.0	1.0