基体偏压对直流非平衡磁控溅射氮化硅薄膜生长特性的影响

• 作者: 宁成云 王迎军 石志锋 郑志雯
• 来源期刊: 电镀与涂饰
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶硅 氮化硅薄膜 非平衡磁控溅射 基体偏压 沉积速率 表面形貌 化学态
• 年，卷（期）: 2018,（13）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 570-575
• 页数: 6页
• 分类号: TB43|TG174.444
• 字数: 2518字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19289/j.1004-227x.2018.13.003

摘要

采用高纯硅靶和氮气,以直流非平衡磁控溅射技术在单晶硅表面制备氮化硅薄膜.借助台阶仪、原子力显微镜、红外光谱和X射线光电子能谱考察了基体偏压(?50～?200 V)对氮化硅薄膜沉积速率、表面形貌及元素化学态的影响.结果表明:所得氮化硅薄膜表面光滑,连续致密,均匀.随着样品负偏压的提高,薄膜的生长速率逐渐降低,但当偏压超过?150 V时,薄膜的沉积速率又升高.当基体偏压从?50 V提高到?200 V时,薄膜中Si 2p的峰位向高能端移动了0.41 eV.基片偏压为?150 V时,薄膜生长较为缓慢,但致密,Si─N键含量高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王迎军	华南理工大学材料学院	174	2056	24.0	35.0
2	宁成云	华南理工大学材料学院	60	382	10.0	16.0
3	郑志雯	华南理工大学材料学院	12	55	4.0	7.0
4	石志锋	华南理工大学医疗器械研究检验中心	3	3	1.0	1.0