晶界偏析对CaCu3Ti4O12陶瓷介电性能的影响

• 作者: V V Marchenkev 徐玲芳 杨昌平 杨辅军 杨靖鹏 王瑞龙 肖海波
• 来源期刊: 湖北大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: CaCu3Ti4O12 球磨 介电性能 晶界偏析
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 物理学与电子技术
• 页码范围: 73-78
• 页数: 6页
• 分类号: TM283
• 字数: 2368字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2375.2018.01.013

摘要

采用溶胶凝胶法制备CaCu3Ti4O12,通过球磨对陶瓷样品进行处理,探究此处理方法对CaCu3Ti4O12介电性能的影响.研究结果表明,球磨对CaCu3Ti4O12陶瓷样品的介电常数有较大影响.随着球磨时间的增加,样品介电常数显著增加,当球磨时间为4 h,其室温下介电常数可达106量级,比未经球磨处理的样品高2个数量级,且随温度升高,介电常数显著增大.温度上升100 K,介电常数约提高一个数量级.同时SEM分析表明,球磨处理CaCu3Ti4O12样品介电常数的增大与其晶界偏析有较大的关系,特别是晶界处析出的CuO二次相可极大地提升CaCu3Ti4O12的极化率,可提高约2个数量级.