2~5 μm中红外波段GaSb半导体材料研究进展

• 作者: 余沛 唐吉龙 房丹 方铉 王新伟 王晓华 王登魁 魏志鹏
• 来源期刊: 应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: 锑化镓 I型量子阱 W型量子阱 分子束外延
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 页码范围: 45-61
• 页数: 17页
• 分类号: TN3

摘要

III-V族半导体材料因其光电子应用中的优势而备受关注。这些材料中,GaSb和GaSb相关半导体材料因具有高的载流子迁移率和较窄的禁带宽度而被认为是中红外波段光电子半导体器件的首选材料。然而,半导体光电子器件的性能强烈依赖于材料的结构和光学性质,所以GaSb材料的研究工作重点是如何提高晶体质量,精确调整合金组分,提高发光性能等。本文对2~5 μm GaSb和GaSb相关半导体材料的外延生长和材料性质的研究进展做出了简要的概述,主要讨论了GaSb材料、GaSb合金薄膜材料以及GaSb基量子阱材料的外延生长过程及材料性质,以期获得GaSb基半导体材料外延生长的最优条件。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐吉龙	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	28	104	4.0	10.0
2	方铉	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	37	60	4.0	6.0
3	魏志鹏	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	44	104	5.0	8.0
4	王晓华	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	54	156	7.0	9.0
5	王登魁	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	18	0	0.0	0.0
6	房丹	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	25	18	3.0	3.0
7	王新伟	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	21	67	3.0	8.0
8	余沛	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	1	0	0.0	0.0