磷化铟的化学机械抛光技术研究进展

• 作者: 孙世孔 路家斌 阎秋生
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 磷化铟 化学机械抛光(CMP) 抛光机理 抛光液 加工工艺
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 201-210
• 页数: 10页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.03.008

摘要

磷化铟单晶作为一种重要的外延层衬底材料被广泛应用于光电器件.衬底外延生长和电子器件制备要求磷化铟晶片表面具有极低的表面粗糙度、无表面/亚表面损伤和残余应力等,需对磷化铟晶片表面进行抛光加工,其表面质量决定了后续的外延层质量并最终影响磷化铟基器件的性能.综述了磷化铟晶体化学机械抛光(CMP)技术进展;介绍了磷化铟表面的化学反应原理、CMP去除机理;详细分析了磷化铟抛光液组分及pH值、抛光工艺参数(抛光压力、抛光盘转速、抛光垫特性、磨料种类、粒径及浓度)等对磷化铟抛光质量的影响;介绍了磷化铟抛光片的清洗工艺,并对磷化铟CMP的后续研究方向提出一些建议.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	阎秋生	广东工业大学机电工程学院	146	787	13.0	20.0
2	路家斌	广东工业大学机电工程学院	58	257	9.0	12.0
3	孙世孔	广东工业大学机电工程学院	2	2	1.0	1.0