新型hollandite结构化合物BiIr4Se8单晶的生长,结构与基本物性研究

• 作者: 杨军 皮雳 葛敏 骆磊 龚吉祥
• 来源期刊: 低温物理学报
• 关键词: 晶体生长 hollandite结构 一维通道 铱化物
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 页码范围: 40-45
• 页数: 6页
• 语种: 中文

摘要

通过助溶剂法制得新型单晶BiIr4Se8.能量色散X射线谱确定样品元素比例约为Bi∶Ir∶Se≈1∶4∶8.利用粉末与单晶X射线衍射技术确定了单晶属于单斜晶系,具有扭曲的hollandite结构,其中的一维通道被Bi原子占据.300 K以下的电阻与磁化率测试表明,样品属于半导体,且表现抗磁性.Bi在一维通道的无序暗示该材料是一种潜在的热电材料.这种结构容易受掺杂与压力的影响,为进一步探索5d过渡金属化合物中复杂的物理现象提供了良好的平台.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨军		261	3449	28.0	51.0
2	葛敏		15	262	9.0	15.0
3	骆磊		7	15	2.0	3.0
4	龚吉祥		1	0	0.0	0.0
5	皮雳		8	4	1.0	2.0