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阻挡层抛光中布线槽铜电阻Rs的控制机制研究
阻挡层抛光中布线槽铜电阻Rs的控制机制研究
作者:
刘玉岭
岳昕
李祥州
王辰伟
郑环
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
布线槽
铜线条
电阻
阻挡层
钝化层
摘要:
布线槽处铜线条的电阻Rs关系着集成电路的响应速度和芯片的电特性.阻挡层抛光的过程中会造成布线槽处铜线条电阻Rs的变化,为了实现Rs的变化可控,使用FA/O螯合剂和JFC活性剂进行实验测试和机制研究.测试结果表明布线槽铜线条电阻R s的变化取决于铜线条厚度的大小,铜线条厚度的大小是由铜线条去除速率VCu决定的.对含有不同浓度FA/O螯合剂和JFC活性剂的抛光液进行电化学实验研究,结果表明螯合剂FA/O对Cu2+有很强的螯合作用,可以促进抛光液对布线槽铜线条的化学作用,提高布线槽铜线条的去除速率VCu;活性剂JFC对布线槽铜线条表面有很强的钝化作用,可以抑制抛光液对布线槽铜线条的化学作用,减小布线槽铜线条的去除速率VCu.利用螯合剂FA/O的强螯合作用和活性剂JFC的强钝化作用实现了布线槽铜电阻R s的控制.
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文献信息
篇名
阻挡层抛光中布线槽铜电阻Rs的控制机制研究
来源期刊
稀有金属
学科
工学
关键词
布线槽
铜线条
电阻
阻挡层
钝化层
年,卷(期)
2018,(4)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
386-392
页数
7页
分类号
TN405
字数
语种
中文
DOI
10.13373/j.cnki.cjrm.XY16060036
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
刘玉岭
河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室
263
1540
17.0
22.0
2
王辰伟
河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室
80
287
8.0
10.0
3
李祥州
河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室
3
9
2.0
3.0
4
岳昕
河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室
2
3
1.0
1.0
5
郑环
河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室
3
15
2.0
3.0
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铜线条
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研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
稀有金属
主办单位:
北京有色金属研究总院
出版周期:
月刊
ISSN:
0258-7076
CN:
11-2111/TF
开本:
大16开
出版地:
北京新街口外大街2号
邮发代号:
82-167
创刊时间:
1977
语种:
chi
出版文献量(篇)
4172
总下载数(次)
13
总被引数(次)
39184
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