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摘要:
布线槽处铜线条的电阻Rs关系着集成电路的响应速度和芯片的电特性.阻挡层抛光的过程中会造成布线槽处铜线条电阻Rs的变化,为了实现Rs的变化可控,使用FA/O螯合剂和JFC活性剂进行实验测试和机制研究.测试结果表明布线槽铜线条电阻R s的变化取决于铜线条厚度的大小,铜线条厚度的大小是由铜线条去除速率VCu决定的.对含有不同浓度FA/O螯合剂和JFC活性剂的抛光液进行电化学实验研究,结果表明螯合剂FA/O对Cu2+有很强的螯合作用,可以促进抛光液对布线槽铜线条的化学作用,提高布线槽铜线条的去除速率VCu;活性剂JFC对布线槽铜线条表面有很强的钝化作用,可以抑制抛光液对布线槽铜线条的化学作用,减小布线槽铜线条的去除速率VCu.利用螯合剂FA/O的强螯合作用和活性剂JFC的强钝化作用实现了布线槽铜电阻R s的控制.
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关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 阻挡层抛光中布线槽铜电阻Rs的控制机制研究
来源期刊 稀有金属 学科 工学
关键词 布线槽 铜线条 电阻 阻挡层 钝化层
年,卷(期) 2018,(4) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 386-392
页数 7页 分类号 TN405
字数 语种 中文
DOI 10.13373/j.cnki.cjrm.XY16060036
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘玉岭 河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室 263 1540 17.0 22.0
2 王辰伟 河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室 80 287 8.0 10.0
3 李祥州 河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室 3 9 2.0 3.0
4 岳昕 河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室 2 3 1.0 1.0
5 郑环 河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室 3 15 2.0 3.0
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