C波段GaN高功率放大器设计

• 作者: 夏永平 李贺 魏斌
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: GaNHEMT 内匹配 功率放大器 功率合成
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 34-38
• 页数: 5页
• 分类号: TM931
• 字数: 2487字
• 语种: 中文

摘要

采用内匹配和功率合成技术,设计了C波段GaN HEMT高功率放大器.电路采用6胞芯片进行功率合成,在陶瓷(Al2O3)基片上设计制作功分器,使其输入输出阻抗均为50Ω.实际脉冲测试该功放饱和输出功率达到220 W以上,增益大于11 dB,功率附加效率大于48％,功率合成效率比达到90％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏斌	中国电子科技集团公司第五十八研究所	15	27	4.0	4.0
2	李贺	中国电子科技集团公司第五十八研究所	10	10	2.0	3.0
3	夏永平	中国电子科技集团公司第五十八研究所	6	1	1.0	1.0