ZnO压敏电阻及其片式化技术

• 作者: 付振晓 傅邱云 陈涛
• 来源期刊: 现代技术陶瓷
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO MLVs 非线性I-V特性 还原-再氧化 贱金属内电极
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 页码范围: 390-402
• 页数: 13页
• 分类号: TM23
• 字数: 9220字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16253/j.cnki.37-1226/tq.2018.07.007

摘要

ZnO压敏电阻由于具有独特的非线性I-V特性而在电子电路中得到了广泛应用.随着电子产品向着小型化、高集成化和数字化方向发展,片式ZnO压敏电阻 (ZnO MLVs) 应用日益广泛.基于此,本文结合作者对ZnO压敏陶瓷还原-再氧化工艺及贱金属内电极的研究,介绍了目前ZnO MLVs的主要材料及工艺研究进展,并对片式ZnO压敏电阻的发展趋势提出了一孔之见.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	付振晓		24	62	4.0	6.0
2	陈涛		1	1	1.0	1.0
3	傅邱云	华中科技大学光学与电子信息学院	11	20	3.0	4.0