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摘要:
金属氧化物薄膜晶体管(MOTFT)因具有迁移率高、可见光透明、工艺简单、可低温制备等优势,在高性能平板显示、可穿戴柔性电子、集成传感器等领域具有广阔的应用前景.主要回顾了溶液法制备MOTFT的研究进展.首先介绍了溶液法制备MOTFT相对于其他方法的优势,如工艺简单、制作成本低、易掺杂;然后阐述了浸涂法、喷雾法、旋涂法、印刷法加工工艺的特点及优缺点,比较了不同溶液加工工艺所制备MOTFT的电学性能;最后指出了目前溶液法制备MOTFT存在的问题,并从有源层材料与结构、栅介质层材料与界面、退火与预处理3个方面详细地讨论了溶液法制备的优化方法.
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内容分析
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文献信息
篇名 溶液法制备金属氧化物薄膜晶体管的研究进展
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 薄膜晶体管 金属氧化物半导体 溶液法 电学性能 优化方法
年,卷(期) 2018,(5) 所属期刊栏目 趋势与展望
研究方向 页码范围 321-334,380
页数 15页 分类号 TN321.5
字数 语种 中文
DOI 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.05.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘玉荣 华南理工大学电子与信息学院 31 82 6.0 6.0
2 廖荣 华南理工大学电子与信息学院 11 18 2.0 3.0
3 吴宝仔 华南理工大学电子与信息学院 2 2 1.0 1.0
传播情况
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金属氧化物半导体
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电学性能
优化方法
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1003-353X
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