半导体器件辐射效应数值模拟技术研究现状与发展趋势

• 作者: 丁李利 郭晓强 陈伟
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: 辐射效应 粒子输运模拟 器件模拟 电路模拟 发展趋势
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 进展与评述
• 页码范围: 1-7
• 页数: 7页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 4308字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12061/j.issn.2095-6223.2018.010101

摘要

半导体器件辐射效应数值模拟技术主要研究辐射与材料相互作用的粒子输运模拟、器件内部辐射感生载流子漂移扩散的器件级模拟及器件性能退化对电路功能影响的电路级模拟等,是抗辐射加固设计和抗辐射性能评估中的关键技术.随着先进微电子技术的快速发展,新材料、新结构和新器件的应用为辐射效应建模与数值仿真带来了新挑战.辐射效应数值模拟涉及材料学、电子学和核科学的交叉领域,技术难度大,建模和仿真比较复杂,一些瓶颈问题尚未完全解决.围绕粒子输运模拟、器件级辐射效应数值模拟和电路级辐射效应数值模拟3个方面,梳理急需解决的关键技术问题,介绍半导体器件辐射效应数值模拟技术的发展趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈伟		95	286	8.0	11.0
2	郭晓强		27	152	7.0	11.0
3	丁李利		2	4	2.0	2.0