GaAs薄膜发光改性研究进展

• 作者: 唐吉龙 房丹 方铉 王新伟 王晓华 王登魁 肖卫 贾慧民 魏志鹏
• 来源期刊: 材料科学
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs薄膜 光致发光 快速退火 掺杂 表面钝化
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 页码范围: 89-97
• 页数: 9页
• 分类号: TN3

摘要

砷化镓(GaAs)作为一种重要的III-V族材料。具有电子迁移率高、本征载流子浓度低、发光效率高等特性,广泛应用于半导体光电器件中。对GaAs的发光特性的研究可以为GaAs基半导体光电器件的设计提供重要理论依据,而GaAs发光特性的改善对提高GaAs基器件的性能也尤为重要。文章综述了GaAs薄膜发光特性的国内外研究现状,总结了改善GaAs薄膜发光特性的方法,对促进GaAs薄膜在半导体光电器件的应用具有重要的意义。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐吉龙	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	28	104	4.0	10.0
2	方铉	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	37	60	4.0	6.0
3	魏志鹏	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	44	104	5.0	8.0
4	王晓华	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	54	156	7.0	9.0
5	贾慧民	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	7	0	0.0	0.0
6	王登魁	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	18	0	0.0	0.0
7	房丹	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	25	18	3.0	3.0
8	王新伟	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	21	67	3.0	8.0
9	肖卫	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	1	0	0.0	0.0