刻蚀深度对GaN基微尺寸LED芯片RC特性的影响

• 作者: 施伟 杨倬波 王洪 黄华茂
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 深刻蚀隔离槽 微尺寸LED芯片 电容 RC常数
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1297-1304
• 页数: 8页
• 分类号: TN303|TN304
• 字数: 2708字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20183909.1297

摘要

隔离槽的制作是实现阵列芯片单元独立的有效方法.本文采用感应耦合等离子体干法刻蚀(ICP)和具有高刻蚀比的SiO2与光刻胶混合掩膜在GaN基微尺寸LED上制备了3种深度的隔离槽和6种不同的芯片尺寸结构.通过电致发光(EL)和电容计表征不同刻蚀深度对LED芯片电学性能和电容大小的影响.实验结果表明,小尺寸的芯片有着更高的电流承受密度和更小的电容值,隔离槽刻蚀深度的增加能降低电容和电阻,从而使RC时间常数得到降低.有源层直径为120μm的芯片从仅有Mesa刻蚀到完全刻蚀到蓝宝石衬底,其RC调制带宽从155 MHz增大到176 MHz.减小芯片尺寸和完全刻蚀到蓝宝石衬底能有效减小芯片RC常数.这些工作将有助于GaN基LED的未来设计和制造,以提高高频可见光通信的调制带宽和光功率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王洪	华南理工大学电子与信息学院广东省光电工程技术研究开发中心	61	412	10.0	18.0
3	黄华茂	华南理工大学电子与信息学院广东省光电工程技术研究开发中心	13	58	5.0	7.0
5	施伟	华南理工大学电子与信息学院广东省光电工程技术研究开发中心	2	3	1.0	1.0
10	杨倬波	华南理工大学电子与信息学院广东省光电工程技术研究开发中心	1	3	1.0	1.0