基于GaAs膜的GaInP/AlGaInP无杂质空位扩散诱导量子阱混杂的研究

• 作者: 刘素平 熊聪 王鑫 田伟男 马骁宇
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 蓝移 无杂质空位扩散 量子阱混杂 扩散
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 1095-1099
• 页数: 5页
• 分类号: TN248
• 字数: 670字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20183908.1095

摘要

在红光半导体激光器芯片上采用GaAs介质膜进行无杂质空位扩散诱导量子阱混杂研究.激光器芯片的有源区由一个9 nm厚的GaInP量子阱和两个350 nm厚的AlGaInP量子垒构成,利用MOCVD方法在芯片表面生长GaAs介质膜.在950℃的情况下进行不同时长不同GaAs层厚度的高温快速热退火诱发量子阱混杂.通过光致发光光谱分析样品混杂之后的波长蓝移情况和光谱半峰全宽变化规律.当退火时间达到120 s时,样品获得53.4 nm的最大波长蓝移;在1 min退火时间下获得18 nm的最小光谱半峰全宽.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王鑫	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心	106	958	17.0	28.0
2	马骁宇	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心	93	616	12.0	21.0
3	刘素平	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心	37	253	7.0	15.0
4	熊聪	中国科学院大学材料科学与光电技术学院	10	22	4.0	4.0
5	田伟男	中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心	1	1	1.0	1.0