碳化硼薄膜制备技术研究进展

• 作者: 张联盟 沈强 涂溶 王传彬 章嵩 胡璇
• 来源期刊: 现代技术陶瓷
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硼薄膜 物理气相沉积 化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 页码范围: 417-431
• 页数: 15页
• 分类号: O484.5
• 字数: 8487字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16253/j.cnki.37-1226/tq.2018.07.017

摘要

本文归纳了碳化硼薄膜的主要特性以及近年来在功能陶瓷、热电元件等方面的广泛应用.总结了目前物理气相沉积 (PVD) 和化学气相沉积 (CVD) 技术制备碳化硼薄膜的主要方法,包括磁控溅射法、离子束蒸镀法、经典化学气相沉积法 (c-CVD)、等离子增强化学气相沉积法 (PECVD、激光化学气相沉积法 (LCVD) 和热丝化学气相沉积法 (HFCVD) 等,讨论了各种沉积技术制备碳化硼薄膜工艺中各种实验参数对薄膜生长过程的影响,并对该领域今后的研究方向进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张联盟	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	249	2664	24.0	41.0
2	沈强	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	131	858	14.0	24.0
3	王传彬	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	51	285	9.0	15.0
4	涂溶	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	9	37	3.0	6.0
5	章嵩	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	10	28	4.0	5.0
6	胡璇	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	4	0	0.0	0.0