硅纳米线的制备与热氧化处理

• 作者: 李常青 逯小慈
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 金属催化化学腐蚀法 硅纳米线 热氧化处理
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 131-134,140
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.1+2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.170074

摘要

采用金属催化化学腐蚀法制备硅纳米线(SiNW),并进行热氧化处理.制备的硅纳米线的线径减小.研究了热氧化处理对硅纳米线线径的影响.利用光电显微镜和扫描电子显微镜(SEM)观察实验结果,刻蚀后形成了长度为100μm、线径为100 nm的排列整齐的硅纳米线.在温度为400℃、时间为20 min的热氧化处理后,硅纳米线的线径由100 nm减小至50 nm.这表明,通过热氧化处理后的硅纳米线具有更小的线径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李常青	郑州大学信息工程学院	17	83	4.0	9.0
2	逯小慈	郑州大学信息工程学院	1	0	0.0	0.0