深亚微米BiCMOS[B]芯片与制程剖面结构

• 作者: 潘桂忠
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路制造 工艺 深亚微米BiCMOS[B] 剖面结构
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 42-46
• 页数: 5页
• 分类号: TN405
• 字数: 4067字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2018.01.011

摘要

深亚微米BiCMOS[B]技术能够实现双极型与CMOS元器件兼容的工艺.为了便于集成,以双极型制程为基础,引入Twin-Well CMOS元器件工艺,在同一硅衬底上实现兼容的BiCMOS[B]工艺.采用深亚微米BiCMOS[B]集成电路芯片结构设计的工艺与制造技术,依该技术得到了芯片制程结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘桂忠		19	50	4.0	6.0