InP/ZnS核壳量子点光学性质研究

• 作者: 唐吉龙 张博文 房丹 方铉 王新伟 王晓华 王登魁 魏志鹏
• 来源期刊: 材料科学
• 学科: 工学
• 关键词: 光致发光 InP/ZnS TEM 界面应力
• 年，卷（期）: clkx_2018,（3）
• 页码范围: 131-136
• 页数: 6页
• 分类号: TN3

摘要

InP量子点被认为是最有希望替代Cd基量子点的材料。然而对于InP量子点的制备和性质的研究远远小于Cd基量子点的研究,特别是其光学性方面的研究。本文采用一锅法制备了晶格质量良好,光学性能优异的InP/ZnS量子点,通过TEM图像确认制备出了的InP核的尺寸约为3 nm,晶格间距与闪锌矿结构的InP(111)晶面间距一致;通过变功率的光谱测试以及拉曼测试,认定InP/ZnS中存在两个发光来源,高能端的来源于自由激子的跃迁,低能端的来源于界面应力产生的缺陷。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐吉龙	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	28	104	4.0	10.0
2	方铉	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	37	60	4.0	6.0
3	魏志鹏	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	44	104	5.0	8.0
4	王晓华	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	54	156	7.0	9.0
5	王登魁	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	18	0	0.0	0.0
6	房丹	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	25	18	3.0	3.0
7	王新伟	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	21	67	3.0	8.0
8	张博文	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	6	8	2.0	2.0