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摘要:
Si基HgCdTe表面钝化膜质量直接影响芯片的性能参数,而钝化前的表面清洗尤为重要.传统的表面清洗方式易对芯片表面造成损伤,且存在生产效率低、工艺重复性差等缺点.文中对芯片划片工艺后的表面残留物进行了分析,为去除芯片表面残留物寻找新的试剂,改善人工擦拭的清洗方式,制定了新的表面清洗工艺,并对传统清洗方式和优化后的清洗方式进行对比.实验证明,新的清洗方式不仅减少了芯片表面损伤,而且提高了工作效率和工艺的可重复性.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 Si基HgCdTe芯片钝化前表面清洗优化
来源期刊 清洗世界 学科 工学
关键词 Si基HgCdTe 钝化 表面清洗
年,卷(期) 2018,(2) 所属期刊栏目 试验研究
研究方向 页码范围 20-23
页数 4页 分类号 TM914.4
字数 3010字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 谢珩 8 19 3.0 4.0
2 祁娇娇 4 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
Si基HgCdTe
钝化
表面清洗
研究起点
研究来源
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研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
清洗世界
月刊
1671-8909
11-4834/TQ
大16开
北京空港工业B区安祥路5号
2-640
1985
chi
出版文献量(篇)
4408
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7
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7347
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