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摘要:
Ru/TaN双分子层已经逐渐成为替代传统双分子阻挡层Ta/TaN的最佳选择,而在不同氧化体系中针对Cu,Ru和TaN三种金属去除速率的研究并不多.分别在H2O2和KIO4两种氧化体系中,通过化学机械抛光(CMP)和电化学研究了Cu,Ru和TaN的去除速率及去除机理.测试结果表明:H2O2和KIO4均可以通过氧化Cu,Ru和TaN三种金属的表面从而提高三种材料的去除速率.不同的是,使用KIO4作为氧化剂可以得到一个更高的Ru去除速率和更高的去除速率选择性,其原因为Ru在KIO4溶液中更易于形成可溶的RuO4-和RuO24-离子.此外,通过原子力显微镜(AFM)分别测试了Cu,Ru和TaN三种金属的表面粗糙度,结果表明:对比KIO4,在H2O2抛光体系中Cu,Ru和TaN可以得到更好的表面质量.
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文献信息
篇名 高碘酸钾和双氧水对Cu,Ru和TaN去除速率影响的对比
来源期刊 微纳电子技术 学科 工学
关键词 钌(Ru) 氮化钽(TaN) 化学机械抛光(CMP) 双氧水 去除速率
年,卷(期) 2018,(11) 所属期刊栏目 加工、测量与设备
研究方向 页码范围 849-854
页数 6页 分类号 TN305.2
字数 语种 中文
DOI 10.13250/j.cnki.wndz.2018.11.012
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 周建伟 河北工业大学电子信息工程学院 40 197 8.0 11.0
3 王辰伟 河北工业大学电子信息工程学院 80 287 8.0 10.0
7 王庆伟 河北工业大学电子信息工程学院 3 3 1.0 1.0
13 王子艳 河北工业大学电子信息工程学院 2 2 1.0 1.0
17 张佳洁 河北工业大学电子信息工程学院 2 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
钌(Ru)
氮化钽(TaN)
化学机械抛光(CMP)
双氧水
去除速率
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chi
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