生长温度对MOCVD外延ZnO纳米结构的影响

• 作者: 庄仕伟 张宝林 徐佳新 徐德前 马雪
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO MOCVD 生长温度 纳米结构
• 年，卷（期）: 2018,（10）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1425-1430
• 页数: 6页
• 分类号: TP394.1|TH691.9
• 字数: 3620字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20183910.1425

摘要

为了探究生长温度对外延ZnO纳米结构的影响,得到ZnO纳米结构可控生长的生长温度条件.利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,设计并获得了不同生长温度的ZnO外延样品,并对所有样品进行了表面形貌、光学特性、电学特性表征和结晶质量表征.实验结果表明:600℃生长的ZnO纳米柱横向尺寸最小,为65 nm左右,其光学特性也相对较好,晶体衍射峰的半峰宽最小,为0.165°,晶粒尺寸最大,为47.6 nm;电学性质相对最优的为640℃生长的ZnO样品,霍尔迁移率高达23.5 cm2/(V·s).通过结果分析发现,生长温度能影响外延ZnO的生长模式,从而影响ZnO的形貌、光学、电学和晶体质量等特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐德前	集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院	2	2	1.0	1.0
2	庄仕伟	集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院	2	2	1.0	1.0
3	马雪	集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院	1	1	1.0	1.0
4	徐佳新	集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院	2	2	1.0	1.0
5	张宝林	集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电子科学与工程学院	3	2	1.0	1.0