氮化镓/硅纳米孔柱阵列紫外光电探测性能

• 作者: 李新建 杜蕊 肖旭华 陈雪霞
• 来源期刊: 科学通报
• 关键词: 硅纳米孔柱阵列 氮化镓 纳米异质结 紫外光电探测器
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚态物理学
• 页码范围: 172-180
• 页数: 9页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1360/N972017-00121

摘要

紫外光电探测器的研究与开发在工农业生产、环境监测与保护以及国防工业等领域均具有重要的现实意义.本文以硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)为衬底,采用化学气相沉积(CVD)法并通过改变GaN沉积时间,制备了3种GaN/Si-NPA纳米异质结构阵列,并对其表面形貌、化学组成和光致发光特性进行了表征,在此基础上,通过上、下电极制作,制备了结构为ITO/GaN/Si-NPA/sc-Si/Ag的光电探测器原型器件,并对其光电探测性能进行了测量.结果表明,在不施加偏压的情况下,采用优化条件制备的ITO/GaN/Si-NPA/sc-Si/Ag器件能够实现对紫外光的有效探测.器件对340 nm单色紫外光的响应度达到～0.15 mA/W,光响应和恢复时间分别为～0.12和～0.24 s.实验结果对研制新型硅基GaN紫外光电探测器具有很好的借鉴意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李新建		52	218	8.0	13.0
2	杜蕊		3	0	0.0	0.0
3	陈雪霞		2	0	0.0	0.0
4	肖旭华		2	0	0.0	0.0