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摘要:
采用0.5μm GaAs工艺设计并制造了一款单片集成驱动放大器的低变频损耗混频器.电路主要包括混频部分、巴伦和驱动放大器3个模块.混频器的射频(RF)、本振(LO)频率为4~7 GHz,中频(IF)带宽为DC~2.5 GHz,芯片变频损耗小于7 dB,本振到射频隔离度大于35 dB,本振到中频隔离度大于27 dB.1 dB压缩点输入功率大于11 dBm,输入三阶交调点大于20 dBm.该混频器单片集成一款驱动放大器,解决了无源混频器要求大本振功率的问题,变频功能由串联二极管环实现,巴伦采用螺旋式结构,在实现超低变频损耗和良好隔离度的同时,保持了较小的芯片面积.整体芯片面积为1.1 mm×1.2 mm.
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文献信息
篇名 一款集成驱动放大器的低变频损耗混频器设计
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 双平衡混频器 串联二极管环 螺旋式巴伦 变频损耗 集成驱动放大器
年,卷(期) 2018,(4) 所属期刊栏目 半导体集成电路
研究方向 页码范围 260-265
页数 6页 分类号 TN403.23|TN773
字数 1997字 语种 中文
DOI 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.04.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李卫民 10 46 5.0 6.0
2 杨立 1 1 1.0 1.0
3 张佃伟 2 2 1.0 1.0
4 段冲 2 3 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
双平衡混频器
串联二极管环
螺旋式巴伦
变频损耗
集成驱动放大器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
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18-65
1976
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