双氧水稳定剂对碱性铜膜抛光液稳定性的影响

• 作者: 刘玉岭 张凯 牛新环 王建超
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 铜 化学机械抛光(CMP) 双氧水 稳定剂 去除速率
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 840-843,854
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2018.11.010

摘要

化学机械抛光(CMP)是多层铜布线的关键技术之一.随着集成电路的发展,碱性抛光液将逐渐成为研究热点.而双氧水作为抛光液中最常用的氧化剂,其最大问题是导致抛光液不稳定.在此基础上研究了双氧水稳定剂(聚天冬氨酸钾(PASP))对碱性铜膜抛光液去除速率及稳定性的影响.结果表明,在含有胺类络合剂的两种碱性铜膜抛光液中,双氧水稳定剂的加入会在一定程度上提高铜的去除速率.在2h内,双氧水稳定剂对抛光液的稳定性起到了明显效果,但随时间的增加其会逐渐失去作用,甚至使抛光液变得更加不稳定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学电子信息工程学院	263	1540	17.0	22.0
3	张凯	河北工业大学电子信息工程学院	14	65	3.0	8.0
5	牛新环	河北工业大学电子信息工程学院	69	406	10.0	17.0
11	王建超	河北工业大学电子信息工程学院	9	42	3.0	6.0